技術資源
離子注入高壓電源的智能溫度補償技術
1 離子注入工藝的溫度敏感性離子注入是半導體制造的核心工藝，通過高能離子束轟擊芯片表面形成特定摻雜區域。該過程對溫度極為敏感：&bul
蝕刻設備高壓電源等離子體噪聲抑制技術研究
等離子體噪聲是半導體蝕刻工藝中的核心干擾源，表現為電源輸出波動、電磁輻射及異常放電等現象，直接影響蝕刻均勻性、選擇比和器件良率。其
準分子激光高壓電源氣體預電離控制技術研究
準分子激光器（如ArF、KrF等）作為深紫外波段的高功率脈沖光源，在光刻、微加工、醫療等領域具有不可替代的地位。其工作依賴于高壓電源產生
光刻機高壓電源低紋波諧振拓撲技術研究
光刻機作為半導體制造的核心設備，其曝光精度直接決定芯片的線寬極限。高壓電源的紋波性能是影響曝光質量的關鍵因素——紋波會引入電場擾動
離子注入高壓電源瞬態過壓保護電路的設計與應用
離子注入是半導體制造中的關鍵工藝，其高壓電源的穩定性直接決定注入精度與設備安全。高壓電源在工作過程中易受瞬態過壓沖擊，例如負載突變
高頻振蕩抑制技術在靜電卡盤高壓電源中的突破性應用
靜電卡盤作為半導體制造的核心組件，依賴高壓電源產生的靜電場實現晶圓的非接觸式固定。然而，高壓電源在動態負載下的高頻振蕩現象（通常由
高壓電源納米級紋波抑制技術在電鏡應用中的突破
高壓電源的穩定性直接影響透射電子顯微鏡（TEM）的成像精度。在納米級觀測中，輸出電壓的紋波必須控制在毫伏甚至微伏級別，否則會導致電子
高精度蝕刻設備中高壓電源的動態功率因數校正技術
在半導體制造領域，蝕刻設備的穩定性和能效直接決定工藝精度與生產成本。高壓電源作為蝕刻工藝的核心能源單元，其電能質量直接影響等離子體
準分子激光高壓電源脈沖能量閉環控制技術研究
一、技術挑戰與核心需求準分子激光器（如ArF、KrF）作為深紫外波段的核心光源，在光刻、微納加工等領域需滿足高重頻（kHz級）、窄線寬（E95