技術資源
離子注入高壓電源的梯度升壓動態控制技術
離子注入技術作為半導體制造的核心工藝，其精度直接影響器件的電學性能和良率。隨著半導體器件尺寸進入納米級，傳統高壓電源的靜態輸出模式
高壓電源在靜電卡盤應用中的瞬態電弧抑制算法研究
靜電卡盤作為半導體制造、平板顯示等精密設備的核心部件，依賴高壓電源（通常為數千伏）產生靜電場以吸附晶圓。然而，高壓環境下的瞬態電弧
量子化穩壓技術：開啟電鏡高壓電源新紀元
在電子顯微鏡（EM）技術領域，高壓電源的穩定性直接決定了成像質量的上限?，F代透射電鏡（TEM）的分辨率已突破至亞埃級（0 1 nm），而掃描
蝕刻設備高壓電源工藝窗口擴展技術研究
在半導體制造中，等離子體蝕刻是決定微觀結構精度的核心工藝，其工藝窗口（即允許參數波動的范圍）直接影響器件的良率和性能。高壓電源作為
離子注入高壓電源的智能功率分配技術
1 離子注入工藝對高壓電源的核心需求離子注入是半導體制造中的關鍵工藝，通過將高能離子注入晶圓，改變材料的電學特性。該過程要求高壓
靜電卡盤高壓電源表面改性對吸附性能的影響機制
引言靜電卡盤（Electrostatic Chuck, ESC）作為半導體制造中的關鍵部件，依賴高壓電源產生的靜電場吸附晶圓。其性能直接影響刻蝕、離子注
電鏡高壓電源超導儲能供電方案：高精度與高穩定性的技術革新
在電子顯微鏡（電鏡）等高端科研設備中，高壓電源的穩定性直接決定了成像質量與數據精度。傳統電源系統受限于響應速度、能量損耗及電壓波動
等離子體蝕刻設備中高壓電源的動態阻抗匹配技術
在半導體制造中，等離子體蝕刻設備的穩定性直接決定晶圓加工的精度與良率。蝕刻工藝依賴高頻高壓電源（通常為13 56MHz 60MHz）激發反應腔體
準分子激光高壓電源脈沖串優化技術及應用
在準分子激光系統中，高壓電源的脈沖串質量直接決定了激光輸出的穩定性、效率及應用精度。傳統高壓電源受限于開關器件的性能，難以同時滿足