高壓供電技術保障光刻曝光精度

光刻曝光精度是決定芯片制程節點和良率的最終指標，高壓供電技術在保障這一精度方面扮演著不可替代的角色。高壓電源不僅是能量的提供者，更是精密控制、穩定場強和低噪聲環境的構建者，其性能直接影響到光刻機光源輸出、掩模和晶圓的定位以及光學系統的校正。
一、光源能量一致性的保障
在深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻機中，高壓電源是驅動光源（如準分子激光器或$\text{CO}_2$激光器）的核心。曝光精度對每一次曝光脈沖的能量一致性要求極高。
極高精度的脈沖充電： 高壓電源需為脈沖形成網絡（PFN）提供超高穩定度的充電壓力。任何充電壓的微小波動（$\Delta V$）都會導致脈沖能量（$E \propto V^2$）的非線性變化。電源必須具備皮秒（ps）級抖動的同步控制能力和**$10^{-5}$量級**的電壓精度，以確保每次激光發射的能量偏差被控制在極小的范圍內。這需要電源采用高帶寬、低延遲的數字反饋回路和超低噪聲的電壓基準。
快速動態補償： 在高重頻（kHz）工作模式下，電源必須應對光刻系統實時反饋的能量監測數據，進行逐脈沖的實時電壓修正。這意味著電源的控制系統必須在兩次脈沖間隔的極短時間內（例如幾十微秒），完成電壓檢測、誤差計算和輸出調整。這種快速的動態補償能力，確保了在系統環境和負載條件發生微小變化時，光源輸出能量始終保持穩定，從而保障了曝光劑量的精度。
二、精密定位與場強控制
光刻機的掩模臺和晶圓臺的運動定位精度直接影響套刻精度（Overlay）。高壓電源為驅動精密運動的關鍵執行器提供穩定場強。
靜電卡盤（E-Chuck）電源： E-Chuck通過施加數百至數千伏的高壓在晶圓和卡盤之間產生靜電力，將晶圓牢固且均勻地吸附。高壓電源必須提供超低紋波、無漂移的直流高壓。任何電壓的波動都會導致吸附力不均勻，進而引起晶圓在曝光過程中的局部形變（Warpage）或翹曲，嚴重影響曝光焦點和套刻精度。電源的紋波必須被抑制到$\mu\text{V}$級，以避免靜電力波動對晶圓平整度造成影響。
壓電驅動器電源： 用于精密定位和光束校正的壓電陶瓷執行器，需要高壓電源提供高帶寬、高精度的雙極性或單極性驅動電壓。電源需要作為高速功率放大器，精確響應控制系統的微小指令，驅動壓電元件進行亞納米級的位移。電源的輸出噪聲和滯后性（Latency）直接決定了定位的抖動和響應速度。采用高線性度、低諧波失真的高壓驅動電路，是確保光刻機實現納米級定位精度的關鍵技術。
高壓供電技術通過對能量、場強和驅動力的極致精準控制，為光刻機提供了穩定、可靠的工作環境，是實現和維持最先進制程曝光精度的根本技術保障。